Osiowo-Symetryczne Zagadnienie Kontaktowe dla Poprzecznie Izotropowej Warstwy z Uwzględnieniem Naprężeń Stycznych w Obszarze Kontaktu

W pracach [1, 2 i 3] zostały rozwiązane osiowo-symetryczne zagadnienia kontaktowe w przypadku idealnej szczepności stempla z podłożem. Obliczenia numeryczne i analiza rozwiązania tych prac wykazały, że styczne naprężenia kontaktowe są w tym przypadku proporcjonalne do napreżeń normalnych oraz do odległości od środka powierzchni kontaktu.

W niniejszej pracy rozważane jest osiowo-symetryczne zagadnienie kontaktowe o wciskaniu stempla w warstwę poprzecznie izotropowa przy założeniu, że w obszarze kontaktu naprężenia styczne i normalne związane są zależnością t_rz = krs_z. W przypadku półprzestrzeni taki związek między naprężeniami kontaktowymi byt przyjmowany w pracy [4].